イオン照射ポリイミド膜におけるトラックエッチング速度のLET依存性

越川 博; 浅野 雅春*; 八巻 徹也; 前川 康成

no journal, , 

重イオンビームを照射した高分子膜を化学エッチングすると、ナノマイクロスケールでアスペクト比の高い穿孔を形成できる。本研究では、このいわゆるイオン穿孔のサイズと形状を制御することを目標として、種々のイオンビームを照射したポリイミド(PI)膜のトラックエッチング速度(V)を電気伝導率測定により求め、そのLET依存性を調べた。450MeV Xe, 250MeV Ar, 75MeV Neのイオンをフルエンス310310 ion/cmで照射したPI膜に対し、pH=9.0に調整した次亜塩素酸ナトリウム溶液を用いてエッチングした。これと同時に、膜を介したエッチング液の電気伝導率を測定することで、穿孔が貫通するまでの時間(T)を取得し、V=(膜厚)/(2T)によりVを計算した。LETが1.4MeV/mのNeイオンでVが0.24m/hで最低であった。これに対して、LETが12MeV/mと最大のXeイオンはNeイオンの約20倍高いVを示し、大きなLET依存性が確認できた。